新聞發佈

科技發展日新月異，海量資料爆發性的增長，數據運算力的要求日益提高，記憶體需求也朝向更高容量、更快速度、更低功耗、更可靠等方向發展。

DDR5 SDRAM（第 5 代雙倍數據傳輸同步動態隨機存取記憶體）具有更高性能、更低功耗、更大容量和更強大的數據完整性的新特性。

與其前身 DDR4 SDRAM 相比，DDR5 SDRAM 具有更高的數據傳輸速度、高達 7,200 Mbps 的數據傳輸速度和晶片除錯技術 (on-die ECC)，可以有效地處理作業上日益增長且更複雜的數據負載需求。

DSL memory 現在提供一系列的 DDR5 記憶體模組，以滿足您下一世代的電腦應用需求。

滿足產業與客戶需求, 商越科技公司即日推出適用於PC, 筆記型電腦與企業伺服器應用的DDR4 3200MHz 高效能記憶體模組. 模組有UDIMM與SO-DIMM, 記憶體容量有4GB，8GB與16GB可供選擇，隨後將推出32GB與應用於嚴苛環境, 例如汽車與國防航太系統的模組.

商越科技公司旨在為其全球客戶提供支援服務. DDR4 3200MHz記憶體模組解決方案將允許合作夥伴構建最先進的系統, 同時保持現有系統配置. 有關詳細的產品資訊，請聯繫DSL銷售團隊.

商越科技DSL針對穩定運作極為嚴苛要求的網路儲存伺服器和小型工作站產業，提供可相容於Intel mini server平台的DDR4 ECC SODIMM優質產品，內建ECC偵錯及修正功能，可增加運作時的穩定及可靠性。嚴選原廠最高等級顆粒，適用於NAS、醫療設備和小型工作站系統。DDR4系列1.2V低電壓可降低記憶體耗電負荷，更有效率的提升性能，能維持系統在高速傳輸資料時更順暢的運作。

各式規格量產供貨中
Speed: DDR4-2133/2400/2666
Density: 4GB/8GB/16GB
Type: 260pin SODIMM ECC unbuffered

一種DRAM模組ECC結構功能改良。記憶體模組主要包括電路板及複數焊設於電路板上的記憶體單元，其中記憶體單元內建一修正錯誤記憶體(ECC，Error-correcting code memory)以及一資料儲存空間(MDR，memory data register)，每一個記憶體單元均可針對資料儲存空間中的資料進行資料是否錯誤需修正的判讀，因此無須額外再將修正錯誤記憶體焊設於電路板，同時增加整體運算的速度，更重要的是本創作之DRAM模組ECC結構功能不會受限於主機插槽規、BIOS相對應設定、電腦是否支援等問題，且ECC可避免潛在資料錯誤所造成的系統當機或資料損毀，對一般大眾使用者在設備無須升級的情況下，僅需更換本創作之記憶體即可輕易使用。

DSL 16GB DDR4-2133 SO-DIMM是新一代的SDRAM 模組，符合JEDEC規範。此系列產品有RDIMM、ECC-DIMM、UDIMM、ECC-SODIMM、SODIMM等多重技術方案，可支援伺服器、儲存、網通等應用，與最新Intel、AMD筆記型、桌上型、伺服器等系列CPU相容。

主要特色：

JEDEC standard 1.2V ± 0.06V Power Supply
VDDQ = 1.2V ± 0.06V
16 internal banks (4 Bank Groups)
Programmable CAS Latency: 10,11,12,13,14,15,16,17,18
Bi-directional Differential Data Strobe
On Die Termination using ODT pin